عیبیابی مدار شارژ
مبحث عیبیابی مدار شارژ موبایل
در این جلسه قصد داریم ادامه مبحث عیبیابی مدار شارژ را بررسی کنیم و بهصورت دقیق مسیر ولتاژ شارژ را از ابتدا تا انتها دنبال کنیم. قبل از ورود به شماتیک و پایههای مهم، لازم است مسیر VBUS که ولتاژ اصلی شارژ را منتقل میکند، بهصورت تعقیبی و مرحلهبهمرحله شناخته شود تا درک درستی از عیبیابی داشته باشیم.
بررسی مسیر VBUS از سوکت شارژ تا برد اصلی
مسیر VBUS از پشت کانکتور سوکت شارژ آغاز میشود. در گوشیهای دارای سوکت تایپ C، این ولتاژ معمولاً از چند پایه عبور میکند و پس از عبور از خازنها وارد کانکتور برد شارژ میشود. سپس این ولتاژ به برد اصلی منتقل شده و با نام VBUS_IF مشخص میشود. در این نقطه ولتاژ معمولاً ۵ ولت است و مسیر بهصورت مستقیم وارد مجموعهای از دیودها، مقاومتها و خازنها میشود.
نقش آیسی OVP در حفاظت مسیر شارژ
پس از عبور ولتاژ از قطعات اولیه، VBUS وارد آیسی OVP میشود. این آیسی نقش محافظتی بسیار مهمی دارد و وظیفه آن اندازهگیری، تثبیت و تخلیه ولتاژهای اضافی است. مقاومتهای اطراف این آیسی برای سنجش و تخلیه ولتاژ طراحی شدهاند و بخشی از ولتاژ اضافی به زمین منتقل میشود. حذف یا یکسرهکردن این آیسی باعث از بین رفتن حفاظت مدار شارژ خواهد شد.
ورود ولتاژ به آیسی IF و مسیر باتری
بعد از آیسی OVP، ولتاژ از طریق خازن و سلف وارد آیسی IF میشود. این مرحله آخرین بخش مسیر VBUS است و پس از آن ولتاژ به مسیر VBAT و در نهایت به کانکتور باتری منتقل میشود. وجود چند مقاومت و خازن قبل از کانکتور باتری برای تثبیت نهایی ولتاژ ضروری است و هرگونه قطعی در این بخش میتواند باعث شارژ نشدن گوشی شود.
روش اصولی عیبیابی ولتاژی مدار شارژ
در عیبیابی مدار شارژ، اولویت اصلی بررسی ولتاژ است نه تست بوق یا دیود. بهترین روش این است که گوشی خاموش باشد و به منبع تغذیه با ولتاژ مشخص متصل شود. سپس ولتاژ در نقاط مختلف مسیر VBUS اندازهگیری میشود تا محل افت ولتاژ مشخص گردد. اگر ولتاژ روی برد شارژ وجود داشته باشد اما روی برد اصلی دیده نشود، معمولاً مشکل از فلت یا کانکتور انتقال ولتاژ است.
تشخیص خرابی آیسی IF و روشهای نادرست تعمیر
اگر ولتاژ تا قبل از آیسی IF وجود داشته باشد اما بعد از آن قطع شود، خرابی آیسی IF قطعی است. برخی تعمیرکاران برای حل سریع مشکل اقدام به جامپکردن مسیر یا یکسرهکردن پایههای آیسی میکنند که این روش کاملاً غیراصولی است. آیسی IF نقش کنترلی و حفاظتی دارد و حذف آن ممکن است باعث آسیب جدی به برد در اثر ولتاژ بالا شود. بهترین و اصولیترین راه، تعویض خود آیسی IF است.
بررسی پایههای دما در مدار شارژ
در مدار شارژ دو پایه مهم برای کنترل دما وجود دارد. پایه BTHM وظیفه اندازهگیری دمای باتری را بر عهده دارد و پایه CHTHM دمای برد را هنگام شارژ بررسی میکند. در صورت بروز خطای دما، گوشی شارژ نمیشود یا ارور دمای بالا نمایش میدهد. این پایهها معمولاً به ترمیستورهایی با مقدار نرمال حدود ۴۷ کیلو اهم متصل هستند.
رفع ارور دمای باتری و دمای شارژ
در صورت خرابی ترمیستور، میتوان با جایگزینکردن آن با مقاومت ۴۷ کیلو اهم، ارور دما را برطرف کرد. البته این روش باعث حذف عملکرد داینامیک کنترل دما میشود و در صورت افزایش واقعی دما، گوشی دیگر هشدار نخواهد داد. به همین دلیل استفاده از ترمیستور اصلی همیشه گزینه ایمنتری است.
نقش واتر دیتکت در مدار شارژ
پایه واتر دیتکت برای تشخیص رطوبت در ناحیه سوکت شارژ طراحی شده است. در صورت تشخیص رطوبت، گوشی اجازه شارژ نمیدهد و ارور مربوط به آبخوردگی نمایش داده میشود. در بیشتر گوشیها، به دلیل نبود شماتیک برد شارژ، در صورت خرابی این بخش معمولاً کل برد شارژ تعویض میشود.
پایه تایپ C دیتکت و تشخیص سوکت شارژ
یکی از پایههای بسیار مهم در گوشیهای جدید، پایه Type-C Detect یا USB Detect است. این پایه وظیفه شناسایی نوع اتصال را بر عهده دارد و مشخص میکند کابل متصلشده شارژر، دیتای USB، OTG یا HDMI است. خرابی این پایه باعث میشود گوشی به کامپیوتر متصل نشود یا هیچ واکنشی به اتصال کابل نشان ندهد، حتی در شرایطی که شارژ انجام میشود.
نکته مهم درباره خرابی CPU در مدار شارژ
در عیبیابی مدار شارژ، بسیار بهندرت پیش میآید که مشکل مستقیماً از CPU باشد. مگر در شرایط خاصی مثل ضربه شدید یا آبخوردگی که باعث کندهشدن پایههای مرتبط با شارژ شود. بنابراین همیشه قبل از نتیجهگیری درباره خرابی CPU، باید تمام مسیرهای مدار شارژ و قطعات مرتبط بررسی شوند.
جمعبندی
مسیر VBUS، آیسیهای محافظتی، پایههای دما، واتر دیتکت و تایپ C دیتکت همگی نقش حیاتی در فرآیند شارژ گوشی دارند. شناخت دقیق این مسیرها باعث میشود عیبیابی سریعتر، اصولیتر و با کمترین ریسک انجام شود. در جلسه بعد میتوان بهصورت پلهبهپله سناریوهای مختلف خرابی مدار شارژ را بررسی کرد.
نظرات (0)